![DHG20C1200PB DHG20C1200PB](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
DHG20C1200PB IXYS
![DHG20C1200PB.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10Ax2; tube; Ifsm: 60A; TO220AB; 85W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 2.23V
Power dissipation: 85W
Technology: Sonic FRD™
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1.2kV
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 10A x2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.78 грн |
3+ | 171.82 грн |
6+ | 145.76 грн |
16+ | 138.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DHG20C1200PB IXYS
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10Ax2; tube; Ifsm: 60A; TO220AB; 85W, Kind of package: tube, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO220AB, Type of diode: rectifying, Reverse recovery time: 200ns, Mounting: THT, Max. forward impulse current: 60A, Max. forward voltage: 2.23V, Power dissipation: 85W, Technology: Sonic FRD™, Features of semiconductor devices: fast switching, Max. off-state voltage: 1.2kV, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Load current: 10A x2, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DHG20C1200PB за ціною від 165.62 грн до 249.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DHG20C1200PB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DHG20C1200PB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10Ax2; tube; Ifsm: 60A; TO220AB; 85W Kind of package: tube Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 200ns Mounting: THT Max. forward impulse current: 60A Max. forward voltage: 2.23V Power dissipation: 85W Technology: Sonic FRD™ Features of semiconductor devices: fast switching Max. off-state voltage: 1.2kV Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DHG20C1200PB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |