.jpg "DFE252012F-4R7M=P2")
DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.5A 0.19OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.04 грн |
| 6000+ | 8.43 грн |
| 15000+ | 8.16 грн |
| 30000+ | 7.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.19ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.5A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DFE252012F-4R7M=P2 за ціною від 7.6 грн до 24.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.19ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.19ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.5A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 0.19OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 190mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2.1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.5 A |
на замовлення 44391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20% |
на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 Standard |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| DFE252012F-4R7M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 Standard |
товар відсутній |