![DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4021/MFG_DF419MR20W3M1HFB11BPSA1.jpg)
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-DF4-19MR20W3M1HF_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b4361e55669](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22527.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B, Packaging: Tray, Part Status: Active, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA, Supplier Device Package: AG-EASY3B.
Інші пропозиції DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 за ціною від 18826.41 грн до 32243.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 20mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 18V hazardous: true Drain-Source-Spannung Vds: 2kV Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm Dauer-Drainstrom Id: 60A Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |