Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF200R12PT4B6BOSA1
DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+16703.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції DF200R12PT4B6BOSA1 за ціною від 17947.75 грн до 17947.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DF200R12PT4B6BOSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Description: ROCHESTER ELECTRONICS - DF200R12PT4B6BOSA1 - DFXR12P - IGBT MODULE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+17947.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 4008ds_df200r12pt4_b6_3_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1.pdf Econo PACK 4 Module With Trench/Field Stop IGBT 4 Module
товар відсутній
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 4008ds_df200r12pt4_b6_3_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1.pdf Econo PACK 4 Module With Trench/Field Stop IGBT 4 Module
товар відсутній
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
товар відсутній