DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7413.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1040 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF200R12KE3HOSA1 за ціною від 7890.11 грн до 7890.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1040 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
DF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW Automotive 5-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
||||||
DF200R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040W 5-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |