DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2.
Інші пропозиції DF11MR12W1M1B11BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - DF11MR12W1M1B11BOMA1 - DF11MR12 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 21-Pin EASY1BM-2 Tray |
товар відсутній |
|
 |
DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 |
товар відсутній |