DDTC114YLP-7 Diodes Zetex
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3808+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC114YLP-7 Diodes Zetex
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DDTC114YLP-7 за ціною від 2.63 грн до 26.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 341459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DDTC114YLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |