DDTC114YE-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2643000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.34 грн |
| 6000+ | 2.98 грн |
| 9000+ | 2.47 грн |
| 30000+ | 2.28 грн |
| 75000+ | 2.05 грн |
| 150000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC114YE-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDTC114YE-7-F за ціною від 2.46 грн до 24.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDTC114YE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 2646078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTC114YE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW |
на замовлення 10579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES |
09+ |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES |
SOT523 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DDTC114YE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |