DDTC114ELP-7 Diodes Incorporated
![ds30945.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC114ELP-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DDTC114ELP-7 за ціною від 6.89 грн до 32.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |