DCP55-16-13

DCP55-16-13 Diodes Incorporated


diodes inc._ds30707-1164095.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.71 грн
13+ 25.25 грн
100+ 15.54 грн
500+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DCP55-16-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції DCP55-16-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DCP55-16-13 DCP55-16-13 Виробник : Diodes Zetex ds30707.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DCP55-16-13 DCP55-16-13 Виробник : Diodes Inc ds30707.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DCP55-16-13 DCP55-16-13 Виробник : Diodes Incorporated DCP55_-16.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DCP55-16-13 Виробник : onsemi DCP55_-16.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній