![DCG45X1200NA DCG45X1200NA](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
DCG45X1200NA IXYS
![DCG45X1200NA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6565.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCG45X1200NA IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DCG45X1200NA за ціною від 4952.03 грн до 6955.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DCG45X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
DCG45X1200NA Код товару: 148116 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
DCG45X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; 22Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.2V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DCG45X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; 22Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.2V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC |
товар відсутній |