![DCG100X1200NA DCG100X1200NA](https://media.digikey.com/photos/IXYS%20Photos/TO-227B,MINIBLOC.jpg)
DCG100X1200NA IXYS
![DCG100X1200NA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 49A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10989.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCG100X1200NA IXYS
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 49A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DCG100X1200NA за ціною від 11387.19 грн до 13664.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DCG100X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 47Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 47A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.25V Max. forward impulse current: 1.15kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DCG100X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DCG100X1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 47Ax2; SOT227B; screw Type of module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 47A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.25V Max. forward impulse current: 1.15kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
DCG100X1200NA Код товару: 126970 |
![]() |
товар відсутній
|