![DB105-G DB105-G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4098c193d69ab376a3a914bdf0d860a306651352/db.jpg)
DB105-G Comchip Technology
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 21.47 грн |
50+ | 21.37 грн |
100+ | 16.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB105-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції DB105-G за ціною від 14.67 грн до 44.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 6650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 7099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DB105G | Виробник : GI |
![]() |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |