Технічний опис DA2JF8100L PANASONIC
Description: DIODE GP 800V 200MA SMINI2-F5-B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-90, SOD-323F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SMini2-F5-B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції DA2JF8100L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DA2JF8100L Код товару: 104372 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
||
![]() |
DA2JF8100L | Виробник : Panasonic Electronic Components |
Description: DIODE GP 800V 200MA SMINI2-F5-B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SMini2-F5-B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|
![]() |
DA2JF8100L | Виробник : Panasonic |
![]() |
товар відсутній |
|
DA2JF8100L | Виробник : ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
товар відсутній |