D2SB80 Taiwan Semiconductor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.72 грн |
| 11+ | 30.54 грн |
| 100+ | 19.26 грн |
| 500+ | 18.01 грн |
| 1200+ | 15.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D2SB80 Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції D2SB80
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| D2SB80 |
 |
на замовлення 5698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
D2SB80 Код товару: 138066 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки |
товар відсутній
|
|||
| D2SB80 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 2A 4-Pin Case GBL |
товар відсутній |
||
 |
D2SB80 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |