![D1721NH90TAOSA1 D1721NH90TAOSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5337/Product_image_Disc_D48-14k0.jpg_1682170244.jpg)
D1721NH90TAOSA1 Infineon Technologies
![Infineon-D1721NH90T-DS-v04_00-DE.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155fd86888d3ac4](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 2160A D10026K-1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200, Variant
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2160A
Supplier Device Package: BG-D10026K-1
Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 9000 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D1721NH90TAOSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 2160A D10026K-1, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200, Variant, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2160A, Supplier Device Package: BG-D10026K-1, Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 9000 V.
Інші пропозиції D1721NH90TAOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
D1721NH90TAOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |