![CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/a53e6b4e92d103f57769c875d1816177cb5bd57c/soj127p863x355-28_cyp_n.step.jpg)
CY7C199D-10VXI Infineon Technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 140.99 грн |
10+ | 131.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C199D-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C199D-10VXI - IC, SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції CY7C199D-10VXI за ціною від 143.38 грн до 247.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
CY7C199D10VXI | Виробник : CYPRESS |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
CY7C199D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
CY7C199D-10VXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 300mils Operating voltage: 4.5...5.5V кількість в упаковці: 135 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CY7C199D-10VXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 300mils Operating voltage: 4.5...5.5V |
товар відсутній |