CY62167EV18LL-55BVXI Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 411.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY62167EV18LL-55BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62167EV18LL-55BVXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 1.65 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.65V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 2.25V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції CY62167EV18LL-55BVXI за ціною від 698.31 грн до 1109.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY62167EV18LL-55BVXI | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - CY62167EV18LL-55BVXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 1.65 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY62167EV18LL-55BVXI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY62167EV18LL-55BVXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CY62167EV18LL-55BVXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.25V; 55ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 1.65...2.25V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CY62167EV18LL-55BVXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.25V; 55ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 1.65...2.25V |
товар відсутній |