Технічний опис CY14V104NA-BA45XIT Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 45ns; FBGA48; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: NV SRAM, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 256kx16bit, Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC, Access time: 45ns, Case: FBGA48, Mounting: SMD, Kind of interface: parallel, Operating temperature: -40...85°C.
Інші пропозиції CY14V104NA-BA45XIT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14V104NA-BA45XIT | Виробник : Cypress Semiconductor Corp |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA |
товар відсутній |
|
| CY14V104NA-BA45XIT | Виробник : Cypress Semiconductor |
NVRAM 1Mb 45ns 256K x 16 nvSRAM |
товар відсутній |
||
| CY14V104NA-BA45XIT | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 45ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC Access time: 45ns Case: FBGA48 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Operating temperature: -40...85°C |
товар відсутній |