CY14B104NA-ZSP25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2287.8 грн |
10+ | 2071.48 грн |
25+ | 1999.62 грн |
40+ | 1817.21 грн |
108+ | 1599.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B104NA-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції CY14B104NA-ZSP25XI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
CY14B104NA-ZSP25XI Код товару: 103163 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
|||
CY14B104NA-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
||
CY14B104NA-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
||
CY14B104NA-ZSP25XI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 25ns Case: TSOP54 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.7...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 216 шт |
товару немає в наявності |
||
CY14B104NA-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
товару немає в наявності |
||
CY14B104NA-ZSP25XI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 25ns Case: TSOP54 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.7...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |