Технічний опис CY14B104NA-BA20XIT Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції CY14B104NA-BA20XIT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CY14B104NA-BA20XIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
CY14B104NA-BA20XIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
![]() |
CY14B104NA-BA20XIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |