CXDM3069N TR PBFREE

CXDM3069N TR PBFREE Central Semiconductor Corp


CXDM3069N.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.87 грн
10+ 35.63 грн
100+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CXDM3069N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CXDM3069N TR PBFREE за ціною від 22.46 грн до 48.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CXDM3069N TR PBFREE CXDM3069N TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor CXDM3069N.PDF MOSFET 30Vds N-Ch Enh FET 12Vgs 40A 1.2W 6.9A
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.75 грн
10+ 42.53 грн
100+ 28.36 грн
500+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
CXDM3069N TR PBFREE CXDM3069N TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp CXDM3069N.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
товар відсутній