на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.58 грн |
9000+ | 2.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUS08F30,H3F Toshiba
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CUS08F30,H3F за ціною від 1.98 грн до 23.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 774000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba | Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 776577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba | Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching |
на замовлення 107047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CUS08F30,H3F | Виробник : Toshiba | Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |