![CUHS15S30,H3F CUHS15S30,H3F](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/264;-US2H;-;-2.jpg)
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
![CUHS15S30_datasheet_en_20190920.pdf?did=66023&prodName=CUHS15S30](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.77 грн |
6000+ | 6.25 грн |
9000+ | 5.62 грн |
30000+ | 5.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: US2H, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CUHS15S30,H3F за ціною від 6.26 грн до 27.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CUHS15S30,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V |
на замовлення 41492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CUHS15S30,H3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 63664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|