CUHS10F60,H3F

CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage


CUHS10F60_datasheet_en_20190925.pdf?did=61122&prodName=CUHS10F60 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.31 грн
15+ 19.98 грн
100+ 10.1 грн
500+ 7.73 грн
1000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: US2H, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V.

Інші пропозиції CUHS10F60,H3F за ціною від 8.99 грн до 36.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CUHS10F60,H3F CUHS10F60,H3F Виробник : Toshiba CUHS10F60_datasheet_en_20190925-1916495.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF
на замовлення 23680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.61 грн
12+ 27.39 грн
100+ 13.48 грн
500+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
CUHS10F60,H3F CUHS10F60,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage CUHS10F60_datasheet_en_20190925.pdf?did=61122&prodName=CUHS10F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
товар відсутній