![CSD88584Q5DCT CSD88584Q5DCT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/45/296%3B-4222731%3B-DMM%3B-22.jpg)
CSD88584Q5DCT Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88584q5dc](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 140.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88584Q5DCT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CSD88584Q5DCT за ціною від 142.52 грн до 365.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD88584Q5DCT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD88584Q5DCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm Verlustleistung, p-Kanal: 12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: NexFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|