![CSD87355Q5D CSD87355Q5D](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6184/296%7E8LSON-1.5-5X6%7EDQY%7E8.jpg)
CSD87355Q5D Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87355q5d](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.6 грн |
10+ | 111.74 грн |
25+ | 105.41 грн |
100+ | 84.3 грн |
250+ | 79.15 грн |
500+ | 69.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87355Q5D Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 12W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LSON (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87355Q5D за ціною від 64.72 грн до 137.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD87355Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CSD87355Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
товар відсутній |