CSD87313DMST Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 105.64 грн |
| 500+ | 88.34 грн |
| 1250+ | 74.96 грн |
| 2500+ | 66.83 грн |
| 6250+ | 64.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87313DMST Texas Instruments
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87313DMST за ціною від 60.21 грн до 163.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87313DMST | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm 8-WSON -55 to 150 |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87313DMST | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|