CSD25404Q3 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25404Q3 Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25404Q3 за ціною від 26.84 грн до 73.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD25404Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 10 V |
на замовлення 4429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD25404Q3 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 20V Pch MOSFET |
на замовлення 7087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD25404Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 104A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD25404Q3T CSD25404Q3 TCSD25404q3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CSD25404Q3 | Виробник : Texas Instruments |
Транзистор польовий VSON-CLIP-8; P-Channel Uds = 20 V; Id = 104A; Rds = 6.5 mOhms ; (3.3x3.3) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|