Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD25304W1015
CSD25304W1015

CSD25304W1015 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25304W1015 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25304W1015 за ціною від 9.76 грн до 38.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD25304W1015 CSD25304W1015 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015 Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.43 грн
10+ 29.11 грн
100+ 20.25 грн
500+ 14.83 грн
1000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD25304W1015 CSD25304W1015 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015 MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.54 грн
10+ 32.38 грн
100+ 19.58 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 12.47 грн
3000+ 10.52 грн
9000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD25304W1015 CSD25304W1015 Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній