Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD23280F3
CSD23280F3

CSD23280F3 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.44 грн
6000+ 5.01 грн
9000+ 4.33 грн
30000+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD23280F3 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD23280F3 за ціною від 3.48 грн до 30.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD23280F3 CSD23280F3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3 MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 15943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.51 грн
17+ 19.72 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 5.16 грн
3000+ 4.18 грн
9000+ 3.97 грн
24000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD23280F3 CSD23280F3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3 Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 48273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.15 грн
15+ 20.4 грн
100+ 10.29 грн
500+ 7.88 грн
1000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD23280F3 CSD23280F3 Виробник : Texas Instruments slps601.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній