CSD19537Q3

CSD19537Q3 Texas Instruments


getliterature.pdf Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19537Q3 Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Інші пропозиції CSD19537Q3 за ціною від 31.95 грн до 107.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.51 грн
5000+ 36.87 грн
10000+ 36.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.97 грн
5000+ 37.3 грн
10000+ 37.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.46 грн
10+ 67.31 грн
100+ 52.32 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 33.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+87.29 грн
143+ 85.87 грн
181+ 67.85 грн
250+ 62.96 грн
500+ 49.01 грн
1000+ 35.1 грн
3000+ 34.76 грн
6000+ 34.41 грн
Мінімальне замовлення: 141
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.73 грн
10+ 81.06 грн
25+ 79.73 грн
100+ 60.76 грн
250+ 54.13 грн
500+ 43.69 грн
1000+ 32.6 грн
3000+ 32.27 грн
6000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 MOSFET 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 14586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.93 грн
10+ 81.93 грн
100+ 55.23 грн
500+ 46.77 грн
1000+ 37.6 грн
2500+ 35.13 грн
5000+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD19537Q3 Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.96 грн
500+ 48.72 грн
1000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD19537Q3 Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+107.62 грн
10+ 84.67 грн
100+ 61.96 грн
500+ 48.72 грн
1000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD19537Q3 CSD19537Q3 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній