Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD19532Q5B
CSD19532Q5B

CSD19532Q5B Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD19532Q5B Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції CSD19532Q5B за ціною від 69.31 грн до 194.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+77.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+78.46 грн
5000+ 75.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.64 грн
500+ 91.97 грн
1000+ 72.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+134.18 грн
10+ 120.52 грн
25+ 118.99 грн
100+ 98.25 грн
250+ 89.52 грн
500+ 76.52 грн
1000+ 69.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+144.5 грн
93+ 129.79 грн
95+ 128.14 грн
110+ 105.81 грн
250+ 96.4 грн
500+ 82.4 грн
1000+ 74.64 грн
Мінімальне замовлення: 84
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.46 грн
10+ 137.16 грн
100+ 109.13 грн
500+ 86.67 грн
1000+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b MOSFET 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power MOSFET
на замовлення 16798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.19 грн
10+ 144.71 грн
100+ 102.2 грн
250+ 100.81 грн
500+ 86.9 грн
1000+ 75.08 грн
2500+ 70.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+194.19 грн
10+ 145.06 грн
100+ 114.64 грн
500+ 91.97 грн
1000+ 72.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD19532Q5B
Код товару: 135706 		suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Виробник : Texas Instruments slps414.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній