![CSD19502Q5B CSD19502Q5B](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/1/4/23/19/59/815/txn_/manual/csd18509q5b.jpg)
CSD19502Q5B Texas Instruments
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 71.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19502Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V.
Інші пропозиції CSD19502Q5B за ціною від 67.04 грн до 209.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V |
на замовлення 6198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD19502Q5B | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |