CSD18512Q5B Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18512Q5B Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18512Q5B за ціною від 48.67 грн до 115.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | MOSFETs 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18512Q5B | Виробник : Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |