Інші пропозиції CSD18510KCS за ціною від 57.38 грн до 153 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.7 mOhm 3-TO-220 -55 to 175 |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |