CSD17579Q5A Texas Instruments
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17579Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17579Q5A за ціною від 11.78 грн до 35.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V |
на замовлення 4853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm 8-VSONP |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
CSD17579Q5A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V |
товар відсутній |