![CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2581/TSOT-23-6%2C%20TSOT-6.jpg)
CPH6350-TL-W onsemi
![cph6350-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.45 грн |
6000+ | 9.55 грн |
9000+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH6350-TL-W onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 6-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CPH6350-TL-W за ціною від 9.48 грн до 37.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 6-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
на замовлення 12851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -999V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -999V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CPH6350-TL-W | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -24A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |