![CPC3960ZTR CPC3960ZTR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2210/MFG_CPC3980ZTR.jpg)
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division
![media?resourcetype=datasheets&itemid=6c1fe74d-0007-49fb-aa62-68583ccec15c&filename=cpc3960](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 26.15 грн |
2000+ | 23.7 грн |
5000+ | 22.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division
Description: MOSFET N-CH 600V SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції CPC3960ZTR за ціною від 26.36 грн до 89.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CPC3960ZTR | Виробник : IXYS Integrated Circuits Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 10974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPC3960ZTR | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.1A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 44Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPC3960ZTR | Виробник : IXYS Integrated Circuits |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPC3960ZTR | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.1A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.1A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 44Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 947 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|