CPC3708ZTR IXYS Integrated Circuits Division
Виробник: IXYS Integrated Circuits DivisionDescription: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 32.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPC3708ZTR IXYS Integrated Circuits Division
Description: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V.
Інші пропозиції CPC3708ZTR за ціною від 23.96 грн до 75.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CPC3708ZTR | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8Ω Drain current: 0.13A Drain-source voltage: 350V |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPC3708ZTR | Виробник : IXYS Integrated Circuits Division |
Description: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CPC3708ZTR | Виробник : IXYS Integrated Circuits |
MOSFET N-Channel Depletion Mode FET |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPC3708ZTR | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8Ω Drain current: 0.13A Drain-source voltage: 350V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|