Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CMLDM7003 TR
CMLDM7003 TR

CMLDM7003 TR Central Semiconductor Corp

CMLDM7003.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.93 грн
11+ 29.08 грн
100+ 20.2 грн
500+ 14.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CMLDM7003 TR Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції CMLDM7003 TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CMLDM7003 TR CMLDM7003 TR Виробник : Central Semiconductor cmldm7003-39509.pdf MOSFET DUAL, 50V, 280mA N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CMLDM7003 TR CMLDM7003 TR Виробник : Central Semiconductor Corp CMLDM7003.PDF Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній