CIGW252010GL2R2MNE Samsung Electro-Mechanics
Виробник: Samsung Electro-MechanicsDescription: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 93mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.6A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2.2 A
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIGW252010GL2R2MNE Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 93mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.6A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 2.2 µH, Current Rating (Amps): 2.2 A.
Інші пропозиції CIGW252010GL2R2MNE за ціною від 2.93 грн до 8.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CIGW252010GL2R2MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 93mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2.6A Material - Core: Metal Composite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2.2 A |
на замовлення 131037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| CIGW252010GL2R2MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20% |
на замовлення 82325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|