CIG32W1R0MNE Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIG32W1R0MNE Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 0.06Ohm DCR 1210 T/R.
Інші пропозиції CIG32W1R0MNE
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
CIG32W1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
![]() |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
CIG32W1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
CIG32W1R0MNE | Виробник : SAMSUNGEM |
![]() |
товар відсутній |