![CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/15/6/39/50/356/samelm_/manual/mg_4389.jpg)
CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM
![inductor-powerinductor.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R.
Інші пропозиції CIG21W2R2MNE
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CIG21W2R2MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
CIG21W2R2MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
![]() |
товар відсутній |
|
CIG21W2R2MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
![]() |
товар відсутній |