CDN1308EDL CDIL
Виробник: CDIL
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 4.07 грн |
125+ | 3.41 грн |
325+ | 2.7 грн |
900+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDN1308EDL CDIL
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 1.1A, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 0.3W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.185Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 25 шт.
Інші пропозиції CDN1308EDL за ціною від 3.03 грн до 4.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDN1308EDL | Виробник : CDIL |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|