CCS050M12CM2 WOLFSPEED
Виробник: WOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CCS050M12CM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, 6er-Pack, Halbbrücke, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33605.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CCS050M12CM2 WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - CCS050M12CM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, 6er-Pack, Halbbrücke, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 337W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції CCS050M12CM2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CCS050M12CM2 | Виробник : Wolfspeed / Cree |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
CCS050M12CM2 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 337W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |