Продукція > WOLFSPEED(CREE) > C3M0280090J
C3M0280090J

C3M0280090J Wolfspeed(CREE)

C3M0280090J-DTE.pdf Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+394.4 грн
3+ 312.74 грн
8+ 295.66 грн
10+ 290.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090J Wolfspeed(CREE)

Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 279.55 грн до 611.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+434.36 грн
100+ 361.45 грн
250+ 353.95 грн
500+ 298.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+473.28 грн
3+ 389.73 грн
8+ 354.79 грн
10+ 348.55 грн
50+ 341.42 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+563.14 грн
50+ 433 грн
100+ 387.41 грн
500+ 320.79 грн
1000+ 288.71 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+589.6 грн
5+ 567.2 грн
10+ 544 грн
50+ 437.54 грн
100+ 360.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.52 грн
10+ 516.67 грн
50+ 407.2 грн
100+ 374.4 грн
250+ 352.29 грн
500+ 330.19 грн
1000+ 297.38 грн
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : MACOM Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.52 грн
10+ 516.67 грн
50+ 407.2 грн
100+ 374.4 грн
250+ 352.29 грн
500+ 330.19 грн
1000+ 297.38 грн
C3M0280090J Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090J C3M0280090J
Код товару: 118894 		Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090J C3M0280090J Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній