C3M0120100K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 847.03 грн |
| 30+ | 684.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0120100K Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (20-Jun-2016).
Інші пропозиції C3M0120100K за ціною від 591.77 грн до 1121.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120100K | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (20-Jun-2016) |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : MACOM |
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
C3M0120100K Код товару: 178240 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 21.5nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13.5A On-state resistance: 0.17Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
C3M0120100K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 21.5nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 Reverse recovery time: 16ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13.5A On-state resistance: 0.17Ω |
товар відсутній |