Продукція > WOLFSPEED > C3M0120090D
C3M0120090D

C3M0120090D Wolfspeed

c3m0120090d.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+489.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120090D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції C3M0120090D за ціною від 396.25 грн до 984.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed c3m0120090d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+708.29 грн
10+ 656.35 грн
25+ 645.37 грн
50+ 617.21 грн
100+ 498.82 грн
500+ 396.25 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+820.8 грн
2+ 581.66 грн
5+ 549.71 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+872.77 грн
10+ 761.89 грн
30+ 588.34 грн
120+ 569.09 грн
270+ 519.17 грн
510+ 498.49 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+885.6 грн
30+ 690.26 грн
120+ 649.67 грн
510+ 552.53 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+908.8 грн
5+ 828.8 грн
10+ 748 грн
50+ 632.91 грн
100+ 566.4 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+984.96 грн
2+ 724.83 грн
5+ 659.66 грн
C3M0120090D Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+481.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090D Виробник : Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0120090D
Код товару: 165992 		Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed c3m0120090d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній