![C3M0075120K C3M0075120K](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7373392842191cefe44f2384e1486aae2e705b1e/c3m0010090k_072218_001_2.jpg)
C3M0075120K Wolfspeed
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 917.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120K Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції C3M0075120K за ціною від 723.84 грн до 1582.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : MACOM |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
C3M0075120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns |
товар відсутній |